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SFH-480 Arkusz danych(PDF) 5 Page - OSRAM GmbH |
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5 / 9 page SFH 480, SFH 481, SFH 482 2001-10-01 5 Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 480-2 SFH 480-3 SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 Strahlstärke Radiant intensity I F = 100 mA, tp = 20 ms Ie min I e max > 40 – > 63 – ≥ 10 – 10 20 16 – mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 540 630 220 130 220 mW/sr Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 482 SFH 482-1 SFH 482-2 SFH 482-3 SFH 482-M E 7800 1) 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da β bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken gro βer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Me βverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Grö βe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Strahlstärke Radiant intensity I F = 100 mA, tp = 20 ms I e min Ie max ≥ 3.15 – 3.15 6.3 5 10 8 – 1.6 ... 3.2 – mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. – 40 65 80 – mW/sr |
Podobny numer części - SFH-480 |
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Podobny opis - SFH-480 |
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