Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
K9F1G08U0E Arkusz danych(PDF) 23 Page - Samsung semiconductor |
|
K9F1G08U0E Arkusz danych(HTML) 23 Page - Samsung semiconductor |
23 / 38 page - 23 - datasheet K9F1G08U0E FLASH MEMORY Rev. 1.11 SAMSUNG CONFIDENTIAL 4.5 Read Operation CE CLE R/B WE ALE RE Busy 00h Col. Add1 Col. Add2 Row Add1 Dout N Dout N+1 Column Address Row Address tWB tAR tR tRC tRHZ tRR Dout M tWC Row Add2 30h tCLR I/Ox tCSD 4.6 Read Operation(Intercepted by CE) CE CLE R/B WE ALE RE Busy 00h Dout N Dout N+1 Dout N+2 Row Address Column Address tWB tAR tCHZ tR tRR tRC 30h I/Ox Col. Add1 Col. Add2 Row Add1 Row Add2 tCOH tCSD |
Podobny numer części - K9F1G08U0E |
|
Podobny opis - K9F1G08U0E |
|
|
Link URL |
Polityka prywatności |
ALLDATASHEET.PL |
Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |