 |
Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
|
Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
BUZ32H Arkusz danych(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
BUZ32H Arkusz danych(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
7 / 10 page  BUZ 32 H Rev. 2.4 Page 7 2009-11-10 Gate threshold voltage VGS (th) = ƒ(Tj) parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 V 4.6 V GS(th) -60 -20 20 60 100 ˚C 160 T j 2% typ 98% Drain-source on-resistance RDS (on) = ƒ(Tj) parameter: ID = 6 A, VGS = 10 V -60 -20 20 60 100 ˚C 160 T j 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 Ω 1.3 R DS (on) typ 98% Typ. capacitances C = f (VDS) parameter: VGS = 0V, f = 1MHz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 V DS -2 10 -1 10 0 10 1 10 nF C C rss C oss C iss Forward characteristics of reverse diode IF = ƒ(VSD) parameter: Tj, tp = 80 µs -1 10 0 10 1 10 2 10 A I F 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0 V SD T j = 25 ˚C typ T j = 25 ˚C (98%) T j = 150 ˚C typ T j = 150 ˚C (98%) |
Podobny numer części - BUZ32H |
|
Podobny opis - BUZ32H |
|
|
|
Link URL |
| Polityka prywatności |
| ALLDATASHEET.PL |
| Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Polish ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
