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SB1250 Arkusz danych(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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SB1250 Arkusz danych(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 2 page SB1230 ... SB12100 SB1230 ... SB12100 Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2011-03-25 Dimensions - Maße [mm] Nominal current – Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 30...100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack On request taped on 13” reel Green Molding Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Halogen-Free1 Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle Features Vorteile Best trade-off between VF and IR 2) 1250 pcs/13” reel for longer reel change intervals Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2) 1250 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte Type Typ Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A IF = 5 A IF = 12 A SB1230 30 typ. 0.30 < 0.45 < 0.55 SB1240 40 typ. 0.30 < 0.45 < 0.55 SB1250 50 typ. 0.46 < 0.61 < 0.68 SB1260 60 typ. 0.46 < 0.61 < 0.68 SB1290 90 typ. 0.60 < 0.75 < 0.83 SB12100 100 typ. 0.60 < 0.75 < 0.83 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 12 A3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 280/320 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 390 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 From 2H/2011 – Ab 2H/2011 2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 5.4 |
Podobny numer części - SB1250 |
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Podobny opis - SB1250 |
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