Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
BUZ102SL Arkusz danych(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ102SL Arkusz danych(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 8 page Semiconductor Group 8 30/Jan/1998 BUZ 102 SL SPP47N05L Avalanche energy E AS = ƒ(Tj) parameter: ID = 47 A, VDD = 25 V RGS = 25 Ω, L = 222 µH 20 40 60 80 100 120 140 °C 180 T j 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 mJ 260 E AS Typ. gate charge VGS = ƒ(QGate) parameter: ID puls = 47 A 0 10 20 30 40 50 60 70 nC 90 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 49 51 53 55 57 59 61 V 65 V (BR)DSS |
Podobny numer części - BUZ102SL |
|
Podobny opis - BUZ102SL |
|
|
Link URL |
Polityka prywatności |
ALLDATASHEET.PL |
Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |