BF1009 datasheet(3/4 Pages) SIEMENS

Numer części	BF1009

Szczegółowy opis	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

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Producent	SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]

Strona internetowa	http://www.siemens.com/

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BF 1009

Semiconductor Group

3

Sep-09-1998

Total power dissipation

Ptot = f (TS)

0

20

40

60

80

100

120 °C

150

TS

0

50

100

150

200

mW

300

Drain current

ID = f (VG2S)

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

V

6.0

VG2S

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

mA

11

Forward transfer admittance

|

Y21 | = f (VG2S)

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

V

6.0

VG2S

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

mS

26

Insertion power gain

|

S21 | 2 = f (VG2S)

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

V

6.0

VG2S

-65

-60

-55

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

dB

10

Semiconductor Group

3

1998-11-01

Podobny numer części - BF1009

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Siemens Semiconductor G...	BF1009S	51Kb / 4P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)
Infineon Technologies A...	BF1009S	251Kb / 5P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Feb-18-2004
	BF1009S	84Kb / 8P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 2007-04-20
	BF1009SR	251Kb / 5P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Feb-18-2004
	BF1009SR	84Kb / 8P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 2007-04-20

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	BF5030	585Kb / 13P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 2009-05-05
	BF2030	277Kb / 6P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Apr-23-2004
	BF1009S	84Kb / 8P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 2007-04-20
	BF2040	210Kb / 11P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 2007-06-01
	BF998	249Kb / 6P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Feb-13-2004
	BF1005	252Kb / 5P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Feb-18-2004
	BF1005S	252Kb / 5P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Feb-18-2004
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