Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
SMBYW02-200 Arkusz danych(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
SMBYW02-200 Arkusz danych(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 5 page Fig. 8: Recovery time versus dIF/dt. Fig. 7: Capacitance versus reverse voltage applied. Fig. 10: Dynamic parameters versus junction temperature. 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Rth(j-a) 2 Scu(cm ) Printed circuit : epoxy (e=35 µm) Fig. 11: Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under each lead. Fig. 9: Peak reverse current versus dIF/dt. SMBYW02-200 4/5 |
Podobny numer części - SMBYW02-200 |
|
Podobny opis - SMBYW02-200 |
|
|
Link URL |
Polityka prywatności |
ALLDATASHEET.PL |
Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |