2SJ294 datasheet(1/3 Pages) HITACHI

Numer części	2SJ294

Szczegółowy opis	Silicon P Channel MOS FET

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Producent	HITACHI [Hitachi Semiconductor]

Strona internetowa	http://www.renesas.com/eng

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Application

High speed power switching

Features

• Low on–resistance

• High speed switching

• Low drive current

• 4 V gate drive device can be driven from

5 V source

• Suitable for Switching regulator, DC – DC

converter

• Avalanche Ratings

Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

———————————————————————————————————————————

Drain to source voltage

VDSS

–60

V

———————————————————————————————————————————

Gate to source voltage

VGSS

±20

V

———————————————————————————————————————————

Drain current

ID

–20

A

———————————————————————————————————————————

Drain peak current

ID(pulse)*

–80

A

———————————————————————————————————————————

Body–drain diode reverse drain current

IDR

–20

A

———————————————————————————————————————————

Avalanche current

IAP***

–20

A

———————————————————————————————————————————

Avalanche energy

EAR***

34

mJ

———————————————————————————————————————————

Channel dissipation

Pch**

35

W

———————————————————————————————————————————

Channel temperature

Tch

150

°C

———————————————————————————————————————————

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %

**

Value at Tc = 25 °C

***

Value at Tch = 25 °C, Rg

≥ 50 Ω

1

2 3

1

2

3

TO–220FM

1. Gate

2. Drain

3. Source

2SJ294

Silicon P Channel MOS FET

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