Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
SPI08N80C3 Arkusz danych(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
SPI08N80C3 Arkusz danych(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
6 / 10 page SPI08N80C3 9 Typ. gate charge 10 Forward characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=8 A pulsed I F=f(V SD); t p=10 µs parameter: V DD parameter: T j 11 Avalanche energy 12 Drain-source breakdown voltage E AS=f(T j); I D=1.6 A; V DD=50 V V BR(DSS)=f(T j); I D=0.25 mA 25 °C 150 °C 150°C (98%) 25°C (98°C) 10 2 10 1 10 0 10 -1 0 0.5 1 1.5 2 V SD [V] 160 V 640 V 0 2 4 6 8 10 0 10 20 30 40 50 Q gate [nC] 680 720 760 800 840 880 920 960 -60 -20 20 60 100 140 180 T j [°C] 0 50 100 150 200 250 300 350 25 50 75 100 125 150 T j [°C] Rev. 2.9 page 6 2008-10-15 |
Podobny numer części - SPI08N80C3 |
|
Podobny opis - SPI08N80C3 |
|
|
Link URL |
Polityka prywatności |
ALLDATASHEET.PL |
Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |