Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
BUZ104SL-4 Arkusz danych(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BUZ104SL-4 Arkusz danych(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 8 page Semiconductor Group 8 07/Oct/1997 Preliminary data BUZ 104SL-4 Typ. gate charge V GS = ƒ(QGate) parameter: ID puls = 3 A 0 2 4 6 8 10 12 14 16 nC 19 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Avalanche energy EAS = f (Tj) parameter:ID=3.2A,VDD =25 V RGS =25 Ω , L = 10.15mH 20 40 60 80 100 120 140 °C 180 T j 0 10 20 30 40 mJ 60 E AS Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 49 51 53 55 57 59 61 V 65 V (BR)DSS |
Podobny numer części - BUZ104SL-4 |
|
Podobny opis - BUZ104SL-4 |
|
|
Link URL |
Polityka prywatności |
ALLDATASHEET.PL |
Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |