LD261-5 datasheet(3/4 Pages) SIEMENS

Numer części	LD261-5

Szczegółowy opis	GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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Producent	SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]

Strona internetowa	http://www.siemens.com/

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LD 261

Semiconductor Group

3

1997-11-01

Gruppierung der Strahlstärke I

e in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel

Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity I

e

in axial direction

at a solid angle of

Ω = 0.01 sr

Schaltzeiten, I

e von 10 % auf 90 % und von

90 % auf 10 %, bei

I

F = 50 mA, RL = 50 Ω

Switching times, I

e from 10 % to 90 % and

from 90 % to 10 %,

I

F = 50 mA, RL = 50 Ω

t

r, tf

1

µs

Kapazität,

V

R = 0 V

Capacitance

C

o

40

pF

Durchlaßspannung

Forward voltage

I

F = 50 mA, tp = 20 µs

V

F

1.25

(≤ 1.4)

V

Sperrstrom,

V

R = 5 V

Reverse current

I

R

0.01

(≤ 1)µA

Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

I

F = 50 mA, tp = 20 ms

Φ

e

9mW

Temperaturkoeffizient von I

e bzw. Φe,

I

F = 50 mA

Temperature coefficient of I

e or Φe,

I

F = 50 mA

TC

I

– 0.55

%/K

Temperaturkoeffizient von

V

F, IF = 50 mA

Temperature coefficient of

V

F, IF = 50 mA

TC

V

– 1.5

mV/K

Temperaturkoeffizient von

λ

peak, IF = 50 mA

Temperature coefficient of

λ

peak, IF = 50 mA

TCλ

0.3

nm/K

Bezeichnung

Description

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LD 261

LD 261-5

Strahlstärke

Radiant intensity

I

F = 50 mA, tp = 20 ms

Ie

2 ... 6.3

3.2 ... 6.3

mW/sr

Kennwerte (

T

A = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

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