Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
IRF630N Arkusz danych(PDF) 2 Page - Kersemi Electronic Co., Ltd. |
|
IRF630N Arkusz danych(HTML) 2 Page - Kersemi Electronic Co., Ltd. |
2 / 2 page IRF630N ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25℃ C ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID=0.25mA 200 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID= 0.25mA 2 4 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=5.4A 0.3 Ω IGSS Gate Source Leakage Current VGS=±20V;VDS=0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=200V; VGS=0 25 uA VSD Diode Forward Voltage IF= 5.4A; VGS=0 1.3 V www.kersemi.com |
Podobny numer części - IRF630N |
|
Podobny opis - IRF630N |
|
|
Link URL |
Polityka prywatności |
ALLDATASHEET.PL |
Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |