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2SJ456 Arkusz danych(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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2 / 4 page 2SJ456 No.5442-2/4 Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Turn-ON Delay Time td(on) See specified Test Circuit. 28 ns Rise Time tr See specified Test Circuit. 125 ns Turn-OFF Delay Time td(off) See specified Test Circuit. 460 ns Fall Time tf See specified Test Circuit. 160 ns Diode Forward Voltage VSD IS=--9A, VGS=0 --1.0 --1.5 V Diode Reverse Recovery Time trr IS=--9A, di / dt=100A / µs 180 ns Switching Time Test Circuit PW=10 µs D.C. ≤1% P.G 50 Ω G S D ID= --5.0A RL=20.0Ω VDD= --100V VOUT 2SJ456 VIN 0V --10V VIN 0.3 0.5 0.2 0.4 0.6 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 0 --2 --4 --6 --8 --10 --1 --3 --5 --7 --9 ID -- VDS ID -- VGS IT05542 IT05543 0 --2 --6 --10 --14 --4 --8 --12 --16 0 --2 --6 --10 --14 --4 --8 --12 --16 VGS= --3V --4V VDS= --10V Tc=25 °C --50 --25 0 25 50 75 100 125 150 0.1 0.2 0.3 0.4 0.6 0.5 0.7 0.8 --2 --6 --10 --14 --4 --8 --12 --16 RDS(on) -- VGS RDS(on) -- Tc IT05544 IT05545 Tc=75 °C 25 °C --25 °C ID= --5A VGS= --10A ID= --5A Drain-to-Source Voltage, VDS -- V Gate-to-Source Voltage, VGS -- V Gate-to-Source Voltage, VGS -- V Case Temperature, Tc -- °C |
Podobny numer części - 2SJ456 |
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Podobny opis - 2SJ456 |
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