Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów |
|
STB100N6F7 Arkusz danych(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB100N6F7 Arkusz danych(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page DocID027210 Rev 2 5/15 STB100N6F7 Electrical characteristics 15 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit VSD (1) 1. Pulse test: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage VGS = 0 V, ISD = 100A - 1.2 V trr Reverse recovery time ISD = 100 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 48 V - 48.4 ns Qrr Reverse recovery charge - 47 nC IRRM Reverse recovery current - 2.0 A |
Podobny numer części - STB100N6F7 |
|
Podobny opis - STB100N6F7 |
|
|
Link URL |
Polityka prywatności |
ALLDATASHEET.PL |
Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ] |
O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |